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MUN5213DW1T3G /双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
MUN5213DW1T3G的规格信息
MUN5213DW1T3G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:是

晶体管极性:NPN

典型输入电阻器:47 kOhms

典型电阻器比率:1

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363

直流集电极/Base Gain hfe Min:80

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

Pd-功率耗散:187 mW, 256 mW

系列:MUN5213DW1

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:50 V

直流电流增益 hFE 最大值:140

高度:0.95 mm

长度:2 mm

类型:Dual Bias Resistor Transistor

宽度:1.25 mm

商标:ON Semiconductor

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:10000

子类别:Transistors

单位重量:6 mg

供应商MUN5213DW1T3G
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深圳市橙椒科技有限公司MUN5213DW1T3G深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座B座51113418830030，13418730030
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MUN5213DW1T3GDual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO161.54 Kbytes共8页MUN5213DW1T3G的PDF下载地址无
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