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MUN5137DW1T1G /双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual PNP
MUN5137DW1T1G的规格信息
MUN5137DW1T1G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:是

配置:Dual

晶体管极性:PNP

典型输入电阻器:47 kOhms

典型电阻器比率:2.1

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-88-6

直流集电极/Base Gain hfe Min:80

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:- 0.1 A

峰值直流集电极电流:100 mA

Pd-功率耗散:250 mW

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MUN5137DW1

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

直流电流增益 hFE 最大值:80 at 5 mA at 10 V

高度:0.9 mm

长度:2 mm

宽度:1.25 mm

商标:ON Semiconductor

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

供应商MUN5137DW1T1G
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