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MRF6VP11KHR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
MRF6VP11KHR5的规格信息
MRF6VP11KHR5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:110 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-1230

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Dual Common Source

高度:5.08 mm

长度:41.28 mm

系列:MRF6VP11KH

类型:RF Power MOSFET

宽度:10.29 mm

商标:NXP / Freescale

通道模式:Enhancement

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

零件号别名:935309981178

单位重量:13.155 g

供应商MRF6VP11KHR5
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