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MRF6V2010NBR1 /Freescale Semiconductor/分立半导体产品
MRF6V2010NBR1的规格信息
MRF6V2010NBR1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

PCN 过时产品/ EOL：Multiple Devices 04/Mar/2013

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：RF FET

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：LDMOS

频率：220MHz

增益：23.9dB

电压 - 测试：50V

额定电流：2.5mA

噪声系数：-

电流 - 测试：30mA

功率 - 输出：10W

电压 - 额定：110V

封装/外壳：TO-272BC

供应商器件封装：TO-272-2

其它名称：MRF6V2010NBR1-NDMRF6V2010NBR1TR

供应商MRF6V2010NBR1
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MRF6V2010NBR1RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO592.7 Kbytes共15页MRF6V2010NBR1的PDF下载地址MRF18030BLR3,MRF7S19100NR1,MRF6S21060NR1,MRF7S18170H,MRF6S19140HR3_07,MRF373,MRF6S21140HR3_07,MRF5S21130HR3,MRF6S24140HR3,MRF6S21140HR3
MRF6V2010NBR1RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO1014.88 Kbytes共21页MRF6V2010NBR1的PDF下载地址MRF7S18170H,MRF6S19140HR3_07,MRF373,MRF6S21140HR3_07,MRF5S21130HR3,MRF6S24140HR3,MRF6V2300NR1,MRF6S21140HR3,MRF7S21170HR3_07,MRF7S38010H
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Digi-Key 得捷电子		MRF6V2010NBR1NXP USA Inc.FET RF 110V 220MHZ TO272-2Obsolete
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