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MRF6V12500HR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
MRF6V12500HR5的规格信息
MRF6V12500HR5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:110 V

增益:18.5 dB

输出功率:50 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-780

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:0.96 GHz to 1.215 GHz

系列:MRF6V12500H

商标:NXP / Freescale

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V

零件号别名:935310167178

单位重量:6.425 g

供应商MRF6V12500HR5
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MRF6V12500HR5的全球分销商及价格
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