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MRF5P21180HR6 /Freescale Semiconductor/分立半导体产品
MRF5P21180HR6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

PCN 过时产品/ EOL:RF Devices 28/Jun/2011

标准包装:150

类别:分立半导体产品

家庭:RF FET

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:LDMOS

频率:2.16GHz

增益:14dB

电压 - 测试:28V

额定电流:10µA

噪声系数:-

电流 - 测试:1.6A

功率 - 输出:38W

电压 - 额定:65V

封装/外壳:NI-1230

供应商器件封装:NI-1230

供应商MRF5P21180HR6
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深圳市坤融电子有限公司MRF5P21180HR6航都大厦10I0755-23990975
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MRF5P21180HR6RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO389.22 Kbytes共12页MRF5P21180HR6的PDF下载地址MRF6VP21KHR6,MRF6VP2600HR6,MRF6VP11KHR6,MRF5P20180HR6_06,MRFE6P3300HR3,MRF6P24190HR6,MRFE6S9060NR1,MRF6P9220HR3_06,MRF6P27160HR6_06,MRF1518T1
MRF5P21180HR6_08RF Power Field Effect Transistor FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO415.83 Kbytes共10页MRF5P21180HR6_08的PDF下载地址
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