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MRF586 /射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF586的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

晶体管类型:Bipolar

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:50

集电极—发射极最大电压 VCEO:17 V

发射极 - 基极电压 VEBO:2.5 V

集电极连续电流:200 mA

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92

封装:Tray

工作频率:500 MHz

类型:RF Bipolar Small Signal

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散:2.5 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

子类别:Transistors

单位重量:453.600 mg

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MRF586Microsemi CorporationTRANSISTORS1,000 : $9.68
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MRF586Microsemi CorporationRF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39Obsolete
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MRF586Microsemi CorporationTRANS RF BIPO 1W 200MA TO391,000 : $7.83105
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MRF586Microsemi CorporationNPN 1 W 17 V 1 GHz Through Hole RF Microwave Discrete Transistor - TO-39
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MRF586Microsemi CorporationTrans RF BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin TO-39$6.65