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MRF5812GR1 /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
MRF5812GR1的规格信息
MRF5812GR1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：15V

频率 - 跃迁：5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：2dB ~ 3dB @ 500MHz

增益：13dB ~ 15.5dB

功率 - 最大值：1.25W

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 50mA，5V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

其它名称：MRF5812GR1MITRMRF5812GR1MITR-ND

供应商MRF5812GR1
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深圳市宇浩扬科技有限公司MRF5812GR1深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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MRF5812GR1射频(RF)双极晶体管 RF TransistorAdvanced Semiconductor, Inc.Advanced Semiconductor, Inc.的LOGO23.57 Kbytes共1页MRF5812GR1的PDF下载地址无
MRF5812GR1RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOMicrosemi CorporationMicrosemi Corporation的LOGO121.51 Kbytes共5页MRF5812GR1的PDF下载地址无
MRF5812GR1的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		MRF5812GR1American Microsemiconductor, Inc.RF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品1+:￥13.49
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Digi-Key 得捷电子		MRF5812GR1Microsemi CorporationRF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOObsolete
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Mouser 贸泽电子		MRF5812GR1Advanced Semiconductor, Inc.射频(RF)双极晶体管 RF Transistor1:¥46.104
10:¥38.5782
25:¥34.6571
50:¥30.736
1,000:¥21.5152
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