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MRF553 /射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF553的规格信息
MRF553的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

晶体管类型:Bipolar

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:30

集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极连续电流:500 mA

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:317D-02

封装:Tray

工作频率:175 MHz

类型:RF Bipolar Small Signal

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散:3 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:1

子类别:Transistors

供应商MRF553
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MRF553GMICRO-SEMI价格未公开
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MRF553Microsemi CorporationRF TRANS NPN 16V 175MHZObsolete
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MRF553GMicrosemi CorporationRF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACROObsolete
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MRF553GAmerican Microsemiconductor, Inc.RF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品价格未公开
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MRF553GTMicrosemi CorporationRF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACROObsolete
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MRF553TMicrosemi CorporationRF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACROObsolete
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MRF553Advanced Semiconductor, Inc.射频(RF)双极晶体管 RF Transistor1:¥34.578
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MRF553GMICRO-SEMI价格未公开
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MRF553Microsemi CorporationComm/Bipolar Transistor Power Macro
RoHS : Compliant
$1.633
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MRF553TMicrosemi CorporationComm/Bipolar Transistor power macro
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