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MRF323 /射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF323的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

集电极—发射极最大电压 VCEO:33 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极连续电流:2.2 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Case244-04

封装:Tray

工作频率:500 MHz

类型:RF Bipolar Power

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

最大直流电集电极电流:3 A

Pd-功率耗散:55 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

子类别:Transistors

供应商MRF323
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MRF323的全球分销商及价格
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