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MRF275L /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
MRF275L的规格信息
MRF275L的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:13 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:8.8 dB

输出功率:100 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:333-04

封装:Tray

配置:Single

工作频率:500 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:MACOM

Pd-功率耗散:270 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

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