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MRF275G /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
MRF275G的规格信息
MRF275G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:26 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:11.2 dB

输出功率:150 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:375-04

封装:Tray

配置:Dual

工作频率:100 MHz to 500 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:MACOM

Pd-功率耗散:400 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:10

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:40 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

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MRF275GThe RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28V MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]的LOGO639.96 Kbytes共19页MRF275G的PDF下载地址
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MRF275GMACOMTrans RF MOSFET N-CH 65V 26A 5-Pin Case 375-04
RoHS : Compliant
1 : $236.0
10 : $179.0
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Digi-Key 得捷电子
MRF275GMACOM Technology SolutionsFET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04$165.67500
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MRF275GMACOM射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB1:¥1,103.8857
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Mouser 贸泽电子
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