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MRF10120 /射频(RF)双极晶体管
MRF10120的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频(RF)双极晶体管

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

集电极—发射极最大电压 VCEO:55 V

发射极 - 基极电压 VEBO:3.5 V

集电极连续电流:15 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

配置:Single

封装 / 箱体:355C-2

工作频率:1.215 GHz

类型:RF Bipolar Power

商标:MACOM

Pd-功率耗散:380 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:20

子类别:Transistors

供应商MRF10120
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MRF10120Microwave Long Pulse Power Silicon NPN Transistor 120W (peak), 960-1215MHz MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]的LOGO171.98 Kbytes共5页MRF10120的PDF下载地址
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