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MRF101AN /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101AN/SIL3///TUBE NDP SMALL
MRF101AN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:8.8 A

Vds-漏源极击穿电压:133 V

增益:21.1 dB

输出功率:100 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Tube

工作频率:1.8 MHz to 250 MHz

系列:MRF101

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP Semiconductors

正向跨导 - 最小值:7.1 S

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:182 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, + 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V

零件号别名:935377233129

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MRF101AN-88MHZMRF101AN REF BRD 108MHZ 115WNXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO836.13 Kbytes共41页MRF101AN-88MHZ的PDF下载地址
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MRF101AN的全球分销商及价格
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MRF101ANNXP USA Inc.RF TRANSISTOR 100W TO-220$32.72000
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MRF101AN-13MHZNXP USA Inc.MRF101AN REF BRD 13.56MHZ 130W$249.38000
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MRF101AN-230MHZNXP USA Inc.MRF101AN REF BRD 230MHZ 115W$748.12000
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MRF101AN-27MHZNXP USA Inc.MRF101AN REF BRD 27MHZ 125W$249.38000
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MRF101AN-50MHZNXP USA Inc.MRF101AN REF BRD 50MHZ 119W$249.38000
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MRF101AN-VHFNXP USA Inc.MRF101AN REF BRD 174MHZ 100W$249.38000
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MRF101ANNXP Semiconductors射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100W 200MHZ TO-220-3L1:¥168.0536
5:¥165.432
10:¥154.9908
25:¥139.3064
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MRF101AN-230MHZNXP Semiconductors射频开发工具 MRF101AN 230 MHz Reference Circuit1:¥5,186.8582
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MRF101AN-27MHZNXP Semiconductors射频开发工具 MRF101AN 27 MHz Reference Circuit1:¥1,800.9036
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MRF101AN-40MHZNXP Semiconductors射频开发工具 MRF101AN 40.68 MHz Reference Circuit价格未公开
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MRF101AN-81MHZNXP Semiconductors射频开发工具 MRF101AN 81.36 MHz Reference Circuit1:¥3,457.8791
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MRF101AN-STARTNXP Semiconductors射频开发工具 MRF101 Essentials Kit价格未公开