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MRF085HR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
MRF085HR5的规格信息
MRF085HR5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:210 mA

Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 133 V

增益:25.6 dB

输出功率:85 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-650H-4

封装:Cut Tape

封装:Reel

工作频率:1.8 MHz to 1215 MHz

系列:MRF085H

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP Semiconductors

通道数量:2 Channel

Pd-功率耗散:235 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

零件号别名:935351494178

单位重量:0 mg

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