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MMUN2131LT1G /双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
MMUN2131LT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:PNP

典型输入电阻器:2.2 kOhms

典型电阻器比率:1

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:8

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:0.1 A

峰值直流集电极电流:100 mA

Pd-功率耗散:246 mW

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MMUN2131L

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

直流电流增益 hFE 最大值:8

高度:0.94 mm

长度:2.9 mm

宽度:1.3 mm

商标:ON Semiconductor

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

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MMUN2131LT1GON Semiconductor- Tape and Reel6,000 : $0.0149
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MMUN2131LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品3000+:¥0.09
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MMUN2131LT1GON SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3$0.01717
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MMUN2131LT1GON SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,$0.02000
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MMUN2131LT1GON Semiconductor双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP1:¥0.92208
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Newark element14
MMUN2131LT1GON SemiconductorBRT TRANSISTOR, 50V, 2.2KOHM, SOT-23-3; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2:2.2kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes250 : $0.039
500 : $0.038
1,000 : $0.018
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MMUN2131LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R$0.0371