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MMUN2116LT1 /双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
MMUN2116LT1的规格信息
MMUN2116LT1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:

商标:ON Semiconductor

配置:Single

晶体管极性:PNP

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:160

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:0.1 A

峰值直流集电极电流:100 mA

最大工作温度:+ 150 C

封装:Reel

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:246 mW

工厂包装数量:3000

供应商MMUN2116LT1
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深圳市高捷芯城科技有限公司MMUN2116LT1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市芯幂科技有限公司MMUN2116LT1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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19854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司MMUN2116LT1深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市荣创芯微科技有限公司MMUN2116LT1G深圳市福田区华强北都会B做12N0755-82501483
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13380394549
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深圳市骏凯诚科技有限公司MMUN2116LT1G深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市芯泽盛世科技有限公司MMUN2116LT1龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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MMUN2116LT1及相关型号的PDF资料
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MMUN2116LT1Bias Resistor Transistors LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO145.25 Kbytes共7页MMUN2116LT1的PDF下载地址MUN5335DW1T1,LDTA114EM3T5G,MUN5111DW1T1,UMA4NT1,LDTA114YET1,LDTA123EET1,DTA115EET1,MUN5211DW1T1,MUN5211T1,LDTA143EET1
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MMUN2116LT1的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
MMUN2116LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP3000+:¥0.1601
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ChipOneStop
MMUN2116LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP3000+:¥0.1601
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Digi-Key 得捷电子
MMUN2116LT1ON SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR$0.02000
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
MMUN2116LT1GON SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3$0.14000
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element14 e络盟电子
MMUN2116LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP3000+:¥0.1601
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
MMUN2116LT1GON Semiconductor双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP1:¥0.92208
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Rochester
MMUN2116LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP3000+:¥0.1601
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Rochester Electronics
MMUN2116LT1ON SemiconductorN/A500 : $0.03
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
MMUN2116LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP3000+:¥0.1601
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12000+:¥0.081+:¥0.081+:¥0.07
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MMUN2116LT1GON(安森美)集电极电流Ic:100mA 额定功率:246mW 晶体管类型:PNP - 预偏压 集射极击穿电压Vce:50V20+:¥0.189458
200+:¥0.142913
600+:¥0.134364
2000+:¥0.125815
10000+:¥0.122016
20000+:¥0.120138