晶体管类型：PNP - 预偏压

电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：10k

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：35 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流-集电极截止（最大值）：500nA

功率-最大值：246mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-3（TO-236）

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：PNP

集电极最大允许电流Ic：100mA

集电极_发射极击穿电压VCEO：50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

功率 - 最大值：246mW

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：10k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：35 @ 5mA，10V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs