图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:NXP
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性:N-Channel
技术:GaN
Id-连续漏极电流:70 mA
Vds-漏源极击穿电压:125 V
增益:17 dB
输出功率:60 W
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:OM-270-2
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
工作频率:2.7 GHz to 3.5 GHz
类型:RF Power MOSFET
商标:NXP / Freescale
通道数量:1 Channel
Pd-功率耗散:105.3 W
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V
零件号别名:935322537528
单位重量:554.700 mg