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MMRF5017HSR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz
MMRF5017HSR5的规格信息
MMRF5017HSR5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:GaN SiC

Id-连续漏极电流:200 mA

Vds-漏源极击穿电压:125 V

输出功率:125 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-400S-2

封装:Cut Tape

封装:Reel

工作频率:30 MHz to 2200 MHz

系列:MMRF5017HS

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP Semiconductors

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:154 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.3 V

零件号别名:935360891138

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Digi-Key 得捷电子		MMRF5017HSR5NXP USA Inc.RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S$370.83000
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Mouser 贸泽电子		MMRF5017HSR5NXP Semiconductors射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz1:¥1,890.8064
5:¥1,848.6122
10:¥1,810.8137
25:¥1,784.0666
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