制造商:NXP
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Id-连续漏极电流:2.6 A
Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 105 V
增益:18.2 dB
输出功率:1.3 kW
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:NI-1230H-4S-4
封装:Reel
工作频率:1.02 GHz to 1.1 GHz
类型:RF Power MOSFET
商标:NXP / Freescale
通道数量:2 Channel
Pd-功率耗散:869 W
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V
零件号别名:935318748178
单位重量:13.193 g