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MJE3055TTU /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Sil Transistor
MJE3055TTU的规格信息
MJE3055TTU的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

集电极—基极电压 VCBO:70 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:1.1 V

最大直流电集电极电流:10 A

增益带宽产品fT:2 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJE3055T

直流电流增益 hFE 最大值:100

高度:9.4 mm

长度:10.1 mm

封装:Tube

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:10 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

Pd-功率耗散:75 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

零件号别名:MJE3055TTU_NL

单位重量:1.800 g

供应商MJE3055TTU
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深圳市德州众泰科技有限公司MJE3055TTU深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市芯幂科技有限公司MJE3055TTU深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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