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MJE271G /ON Semiconductor/分立半导体产品
MJE271G的规格信息
MJE271G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:500

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:散装

晶体管类型:PNP - 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):100V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 1.2mA,120mA

电流 - 集电极截止(最大值):1mA

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1500 @ 120mA,10V

功率 - 最大值:1.5W

频率 - 跃迁:6MHz

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3

供应商器件封装:TO-225AA

其它名称:MJE271G-NDMJE271GOS

供应商MJE271G
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MJE271G2.0 AMPERE COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS 100 VOLTS, 15 WATTS ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO58.89 Kbytes共3页MJE271G的PDF下载地址MJE243_06,D44VH,MJE171_06,2N6052_06,BDW42_05,2N6284_06,BDX33B_06,MJD44E3,TIP127FP_03,MJ2501_03
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MJE271GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP1+:¥0.751+:¥6.21
500+:¥5.571+:¥3.28
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MJE271GON Semiconductor- Bulk500 : $0.206
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MJE271GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP1+:¥0.75
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MJE271GON SemiconductorBIPOLAR TRANSISTOR PNP -100V TO-225
RoHS : Compliant
1 : $3.9
10 : $3.6
25 : $3.2
100 : $2.7
250 : $2.3
500 : $2.0
1,000 : $1.5
2,500 : $1.39
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MJE271GON SemiconductorMJE Series 100 V 2 A PNP Complementary Silicon Power Transistor - TO-225
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MJE271GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP1+:¥0.751+:¥6.21
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MJE271GON SemiconductorDISCD LAR TRANSISTOR PNP -100V TO-225$0.36
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Wuhan P&S
MJE271GON SemiconductorComplementary Silicon Power Transistors1 : $0.41
100 : $0.32
1,000 : $0.27