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MJE200STU /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
MJE200STU的规格信息
MJE200STU的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-126-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:8 V

集电极—射极饱和电压:1.8 V

最大直流电集电极电流:5 A

增益带宽产品fT:65 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJE200

直流电流增益 hFE 最大值:180

高度:11 mm

长度:8 mm

封装:Tube

宽度:3.25 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:45

Pd-功率耗散:15 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1920

子类别:Transistors

零件号别名:MJE200STU_NL

单位重量:761 mg

供应商MJE200STU
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深圳市佳威星科技有限公司MJE200STU深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
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MJE200STU的全球分销商及价格
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ChipOneStop		MJE200STUFairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil1+:￥4.22
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		MJE200STUON SemiconductorTRANS NPN 25V 5A TO-126Obsolete
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Digi-Key 得捷电子		MJE200STUFairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil1+:￥4.22
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		MJE200STUFairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil1+:￥4.22
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Mouser 贸泽电子		MJE200STUFairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil1+:￥4.22
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Mouser 贸泽电子		MJE200STUON Semiconductor / Fairchild双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil1:¥3.2318
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100:¥1.6498
1,000:¥1.2769
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		MJE200STUFairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil1+:￥4.22
10+:￥3.31
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Verical		MJE200STUFairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil1+:￥4.22
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