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MJD122-1 /达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector
MJD122-1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:达林顿晶体管

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

最大直流电集电极电流:5 A

最大集电极截止电流:10 uA

Pd-功率耗散:20 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-252-2

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJD122

封装:Tube

直流电流增益 hFE 最大值:12000

高度:7.2 mm

长度:6.6 mm

宽度:2.4 mm

商标:STMicroelectronics

直流集电极/Base Gain hfe Min:100

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:340 mg

供应商MJD122-1
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MJD122-1COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO91.56 Kbytes共8页MJD122-1的PDF下载地址MJ11028,TIP120,2N6040,2N6052,MJ2501,TIP122FP,ZDT6702,MJD122,MJE700,MJ4032
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MJD122-1STMicroelectronicsIGBT & POWER BIPOLAR - Bulk3,000 : $0.3604
14,999 : $0.342
29,999 : $0.3371
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Chip1Stop
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
RoHS : Compliant
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MJD122-1STMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector3000+:¥2.531+:¥5.57
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MJD122-1STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 100V 8A TO251$0.95000
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Digi-Key 得捷电子
MJD122-1STMicroelectronicsTRANS NPN DARL 100V 8A TO25210 : $0.792
1 : $0.9
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MJD122-1STMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector3000+:¥2.53
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MJD122-1GON SemiconductorTRANS NPN DARL 100V 8A DPAK$0.37100
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MJD122-1STMicroelectronicsMJD122-1 Series 100 V 8 A SMT NPN Darlington Transistor - TO-252-3
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MJD122-1STMicroelectronics达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector1:¥6.9156
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MJD122-1STMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector3000+:¥2.531+:¥5.57
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