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MJD112TF /达林顿晶体管 NPN Si Transistor Darlington
MJD112TF的规格信息
MJD112TF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

最大直流电集电极电流:2 A

最大集电极截止电流:20 uA

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJD112

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.6 mm

宽度:6.1 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min:200

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

零件号别名:MJD112TF_NL

单位重量:260.370 mg

供应商MJD112TF
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