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MJD112T4G /达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
MJD112T4G的规格信息
MJD112T4G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

最大直流电集电极电流:2 A

最大集电极截止电流:20 uA

Pd-功率耗散:20 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3 (DPAK)

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJD112

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:200, 500, 1000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:470 mg

供应商MJD112T4G
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深圳市维基鸿电子有限公司MJD112T4G赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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文小姐,米小姐,朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
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现代芯城(深圳)科技有限公司MJD112T4Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市佳威星科技有限公司MJD112T4G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市骏凯诚科技有限公司MJD112T4G深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市宇浩扬科技有限公司MJD112T4G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市赛美科科技有限公司MJD112T4G广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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MJD112T4GComplementary Darlington Power Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO144.73 Kbytes共8页MJD112T4G的PDF下载地址
MJD112T4GComplementary Darlington Power Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO101.63 Kbytes共8页MJD112T4G的PDF下载地址2N6035_06,2N6052_06,BDW42_05,2N6284_06,BDX33B_06,TIP127FP_03,MJ2501_03,2N6059_03,MJ4032_03
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MJD112T4G的全球分销商及价格
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Allied Electronics
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 4A DPAK1,000 : $0.5457
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MJD112T4GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN1+:¥5.02
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7500+:¥1.392500+:¥1.382500+:¥1.21+:¥1.2
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Arrow(艾睿)
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
RoHS : Compliant
$0.1642
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MJD112T4GON SemiconductorBIP DPAK NPN 2A 100V TR2,500 : $0.2834
10,000 : $0.2616
22,500 : $0.2429
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MJD112T4GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN1+:¥5.02
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Digi-Key 得捷电子
MJD112T4GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN1+:¥5.02
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Digi-Key 得捷电子
MJD112T4GON SemiconductorTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK10 : $0.542
1 : $0.63
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element14 Asia-Pacific
MJD112T4GON SemiconductorDARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK
RoHS : Compliant
1 : $3.97
10 : $2.9
100 : $1.83
1,000 : $1.41
2,500 : $1.21
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element14 e络盟电子
MJD112T4GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN1+:¥5.02
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Future Electronics
MJD112T4GON SemiconductorMJD Series 100 V 2 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
RoHS : Compliant
2,500 : $0.1633
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Future(富昌)
MJD112T4GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN1+:¥5.02
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
MJD112T4GON Semiconductor达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN1:¥4.8364
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Rochester
MJD112T4GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN1+:¥5.02
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元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
Rochester Electronics
MJD112T4GON SemiconductorN/A500 : $0.25
1,000 : $0.24
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Verical
MJD112T4GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN1+:¥5.02
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立创商城
MJD112T4GON(安森美)集电极电流Ic:2A 额定功率:20W 晶体管类型:NPN - Darlington 集射极击穿电压Vce:100V1+:¥2.57
10+:¥2.06
30+:¥1.96
100+:¥1.87
500+:¥1.83
1000+:¥1.81