制造商:Littelfuse

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.8 V

在25 C的连续集电极电流:300 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:1400 W

封装 / 箱体:Package D

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Bulk

系列:MG12200D

商标:Littelfuse

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:60

子类别:IGBTs

单位重量:285 g