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MG12100S-BN2MM /Littelfuse Inc/分立半导体产品
MG12100S-BN2MM的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:Littelfuse - IGBT and Rectifier Diode Power Modules MG and MD Series

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 模块

系列:-

IGBT 类型:沟道和场截止

配置:半桥

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):140A

功率 - 最大值:450W

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.7V @ 15V,100A(标准)

电流 - 集电极截止(最大值):1mA

不同?Vce 时的输入电容(Cies):7.1nF @ 25V

输入:标准

NTC 热敏电阻:

安装类型:底座安装

封装/外壳:S-3 模块

供应商器件封装:S3

其它名称:F6496

供应商MG12100S-BN2MM
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MG12100S-BN2MMLittelfuse1+:¥537.07
10+:¥504.5
25+:¥481.72
100+:¥455.68
250+:¥432.8901
500+:¥419.8699
1000+:¥403.6
2500+:¥393.84
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10+:¥504.5
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100+:¥455.68
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1000+:¥403.6
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