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MG12150D-BA1MM /IGBT 模块 1200V 150A Dual
MG12150D-BA1MM的规格信息
MG12150D-BA1MM的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Littelfuse

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.8 V

在25 C的连续集电极电流:210 A

栅极—射极漏泄电流:200 nA

Pd-功率耗散:1100 W

封装 / 箱体:Package D

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Bulk

系列:MG12150D

商标:Littelfuse

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:60

子类别:IGBTs

单位重量:285 g

供应商MG12150D-BA1MM
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Arrow(艾睿)		MG12150D-BA1MMLittelfuse1+:￥851.71
10+:￥798.51
100+:￥718.66
250+:￥692.04
500+:￥681.4
1000+:￥649.45
2500+:￥638.81011+:￥788.07
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50+:￥752.24
100+:￥723.59
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Digi-Key 得捷电子		MG12150D-BA1MMLittelfuse Inc.1+:￥851.71
10+:￥798.51
100+:￥718.66
250+:￥692.04
500+:￥681.4
1000+:￥649.45
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Digi-Key 得捷电子		MG12150D-BA1MMLittelfuse Inc.IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3Obsolete
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Mouser 贸泽电子		MG12150D-BA1MMLittelfuseIGBT 模块 1200V 150A Dual1:¥899.8755
5:¥871.9758
10:¥843.545
25:¥815.4306
50:¥804.2888
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Mouser 贸泽电子		MG12150D-BA1MMLittelfuse1+:￥851.71
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250+:￥692.04
500+:￥681.4
1000+:￥649.45
2500+:￥638.81011+:￥788.07
2+:￥788.07
5+:￥788.07
10+:￥788.07
25+:￥788.07
50+:￥752.24
100+:￥723.59
250+:￥727.52
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