LSG80R980GT
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：980mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
LSG80R980GT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）800V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻980mΩ @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）50W(Tc)
类型N沟道
LSG80R980GT
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| LSG80R980GT | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：980mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.28 Mbytes | 共13页 |  | 无 |
LSG80R980GT的全球分销商及价格
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立创商城 | LSG80R980GT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：980mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥3.49
10+:￥2.57
30+:￥2.39
100+:￥2.22
500+:￥2.15
1000+:￥2.11
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