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LSG70R380GT /连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
LSG70R380GT的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)700V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)11A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻380mΩ @ 5.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)-

类型N沟道

供应商LSG70R380GT
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LSG70R380GT连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道LONTEN(龙腾半导体)LONTEN(龙腾半导体)的LOGO1.36 Mbytes共13页LSG70R380GT的PDF下载地址
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LSG70R380GTLONTEN(龙腾半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道1+:¥4.53
10+:¥3.32
30+:¥3.1
100+:¥2.88
500+:¥2.78
1000+:¥2.73