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LSG70R1KGT /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.08Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道
LSG70R1KGT的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)700V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻1.08Ω @ 2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W

类型N沟道

供应商LSG70R1KGT
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LSG70R1KGT连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.08Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道LONTEN(龙腾半导体)LONTEN(龙腾半导体)的LOGO1.13 Mbytes共11页LSG70R1KGT的PDF下载地址
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LSG70R1KGTLONTEN(龙腾半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.08Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道1+:¥2.7
10+:¥2.04
30+:¥1.92
100+:¥1.8
500+:¥1.75
1000+:¥1.72