LPM9926SOF
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 7.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
LPM9926SOF的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）7.6A
栅源极阈值电压1.1V @ 250uA
漏源导通电阻23mΩ @ 7.6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2W
类型N沟道
LPM9926SOF
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| LPM9926SOF | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 7.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 | LOWPOWER(微源半导体) |  | 948.24 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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立创商城 | LPM9926SOF | LOWPOWER(微源半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 7.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 | 5+:￥0.480098
50+:￥0.355148
150+:￥0.332198
500+:￥0.309248
2500+:￥0.299048
5000+:￥0.294008
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