LPM3400B3F
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道
LPM3400B3F的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.8A
栅源极阈值电压1.4V @ 250uA
漏源导通电阻28mΩ @ 5.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.4W
类型N沟道
LPM3400B3F
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| LPM3400B3F | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道 | LOWPOWER(微源半导体) |  | 876.17 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
LPM3400B3F的全球分销商及价格
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立创商城 | LPM3400B3F | LOWPOWER(微源半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道 | 10+:￥0.287904
100+:￥0.212934
300+:￥0.199164
1000+:￥0.185394
5000+:￥0.179274
10000+:￥0.17625
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