LPM3413B3F
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:95mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
LPM3413B3F的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻95mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型P沟道
LPM3413B3F
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LPM3413B3F | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:95mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 | LOWPOWER(微源半导体) |  | 396.58 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
LPM3413B3F的全球分销商及价格
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 立创商城 | LPM3413B3F | LOWPOWER(微源半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:95mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 | 10+:¥0.263593 100+:¥0.198619 300+:¥0.186685 1000+:¥0.174751 5000+:¥0.169447 10000+:¥0.166826
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