LNND04R120
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:N沟道
LNND04R120的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A(Tc)
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻12mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)20W(Tc)
类型N沟道
LNND04R120
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LNND04R120 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 768.59 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
LNND04R120的全球分销商及价格
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 立创商城 | LNND04R120 | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥0.8095 10+:¥0.5996 30+:¥0.5611 100+:¥0.5225 500+:¥0.5054 1000+:¥0.4969
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