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LNL04R120 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道

LNL04R120的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）40V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A(Tc)

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻16mΩ @ 8A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.1W(Tc)

类型N沟道

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	LNL04R120	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	LNL04R120	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	LNL04R120	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	LNL04R120	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
万三科技（深圳）有限公司	LNL04R120	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	LNL04R120	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价

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LNL04R120	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道	LONTEN(龙腾半导体)		854.57 Kbytes	共7页		无

LNL04R120的全球分销商及价格

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立创商城	LNL04R120	LONTEN(龙腾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道	5+:￥0.751663 50+:￥0.556741 150+:￥0.520939 500+:￥0.485137 2500+:￥0.469225 5000+:￥0.461363

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