LNL04R075
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
LNL04R075的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻7.5mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W
类型N沟道
LNL04R075
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LNL04R075 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 950.90 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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 立创商城 | LNL04R075 | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 | 1+:¥1.0794 10+:¥0.7995 30+:¥0.7481 100+:¥0.6967 500+:¥0.6738 1000+:¥0.6625
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