LNH7N60D
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道
LNH7N60D的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.3Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)100W
类型N沟道
LNH7N60D
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LNH7N60D | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.12 Mbytes | 共11页 |  | 无 |
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 立创商城 | LNH7N60D | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道 | 1+:¥1.778 10+:¥1.3481 30+:¥1.2692 100+:¥1.1902 500+:¥1.1552 1000+:¥1.1378
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