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LNH2N65 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道

LNH2N65的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5.2Ω @ 1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）35W

类型N沟道

LNH2N65

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	LNH2N65	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	LNH2N65	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	LNH2N65	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
集好芯城	LNH2N65	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	LNH2N65	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	LNH2N65	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价

LNH2N65及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
LNH2N65	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道	LONTEN(龙腾半导体)		1015.65 Kbytes	共11页		无

LNH2N65的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	LNH2N65	LONTEN(龙腾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道	5+:￥0.7352 50+:￥0.5353 150+:￥0.4985 500+:￥0.4618 2500+:￥0.4455 5000+:￥0.4374

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