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LNH4N80 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

LNH4N80的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）800V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻3.8Ω @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）-

类型N沟道

LNH4N80

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深圳市芯幂科技有限公司	LNH4N80	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	LNH4N80	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	LNH4N80	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
万三科技（深圳）有限公司	LNH4N80	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
集好芯城	LNH4N80	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市鹏芯微世纪电子有限公司	LNH4N80	佳和潮流前线负1楼1A058（扶手梯旁边）	0755-82716291 13534200224	杨先生	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
LNH4N80	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道	LONTEN(龙腾半导体)		1.38 Mbytes	共12页		无

LNH4N80的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	LNH4N80	LONTEN(龙腾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道	1+:￥1.5099 10+:￥1.1101 30+:￥1.0366 100+:￥0.9632 500+:￥0.9306 1000+:￥0.9144

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