LNC10N60
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W 类型：N沟道
LNC10N60的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）10A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻900mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）130W
类型N沟道
LNC10N60
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| LNC10N60 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.22 Mbytes | 共11页 |  | 无 |
LNC10N60的全球分销商及价格
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立创商城 | LNC10N60 | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W 类型：N沟道 | 1+:￥2.62
10+:￥1.97
30+:￥1.85
100+:￥1.72
500+:￥1.67
1000+:￥1.65
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