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LNC07R085H /连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道
LNC07R085H的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)70V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)85A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻8.5mΩ @ 30A,5V

最大功率耗散(Ta=25°C)125W(Tc)

类型N沟道

供应商LNC07R085H
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LNC07R085H连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道LONTEN(龙腾半导体)LONTEN(龙腾半导体)的LOGO884.73 Kbytes共8页LNC07R085H的PDF下载地址
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LNC07R085HLONTEN(龙腾半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.793
10+:¥1.3182
30+:¥1.231
100+:¥1.1438
500+:¥1.105
1000+:¥1.0859