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LNC04R050 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):106W(Tc) 类型:N沟道
LNC04R050的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)110A(Tc)

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻5mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)106W(Tc)

类型N沟道

供应商LNC04R050
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深圳市宇浩扬科技有限公司LNC04R050深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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LNC04R050连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):106W(Tc) 类型:N沟道LONTEN(龙腾半导体)LONTEN(龙腾半导体)的LOGO889.11 Kbytes共7页LNC04R050的PDF下载地址
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LNC04R050LONTEN(龙腾半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):106W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.14
10+:¥1.57
30+:¥1.47
100+:¥1.36
500+:¥1.32
1000+:¥1.3