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LET9070CB /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz
LET9070CB的规格信息
LET9070CB的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

技术:Si

Id-连续漏极电流:12 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

增益:17 dB

输出功率:80 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M243

封装:Bulk

配置:Single Common Source

工作频率:1 MHz to 1 GHz

系列:LET9070CB

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 15 V

供应商LET9070CB
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