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LET9045STR /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
LET9045STR的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:9 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

增益:18.5 dB

输出功率:45 W

最大工作温度:+ 165 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Straight-4

封装:Reel

工作频率:1 GHz

系列:LET9045

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:79 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 0.5 V to 15 V

单位重量:3 g

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