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LET9045F /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
LET9045F的规格信息
LET9045F的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:9 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

增益:18.5 dB

输出功率:70 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M250

封装:Bulk

配置:Single

工作频率:1 GHz

系列:LET9045F

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

Pd-功率耗散:108 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:15 V

单位重量:4.536 g

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Mouser 贸泽电子		LET9045FSTMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz1:¥639.3088
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Verical		LET9045FSTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz1+:￥605.15
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25+:￥473.8325+:￥387.871+:￥492.451+:￥417.6999
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