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L6389EDTR /
L6389EDTR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

驱动配置:半桥

通道类型:独立式

驱动器数:2

栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET

电压 - 电源:17V(最大)

逻辑电压 - VIL,VIH:1.1V,1.8V

电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA

输入类型:反相

高压侧电压 - 最大值(自举):600V

上升/下降时间(典型值):70ns,40ns

工作温度:-45°C ~ 125°C(TJ)

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商L6389EDTR
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