图像仅供参考,请参阅规格书
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 电源:17V(最大)
逻辑电压 - VIL,VIH:1.1V,1.8V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
输入类型:反相
高压侧电压 - 最大值(自举):600V
上升/下降时间(典型值):70ns,40ns
工作温度:-45°C ~ 125°C(TJ)
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs